دانش ها

تفاوت اصلی بین ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی نوع N و نوع P برای فتوولتائیک خورشیدی

تفاوت اصلی بین ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی نوع N و نوع P برای فتوولتائیک های خورشیدی

ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی دارای خواص فیزیکی شبه فلزات با رسانایی ضعیف هستند و با افزایش دما رسانایی آنها افزایش می یابد. آنها همچنین دارای خواص نیمه هادی قابل توجهی هستند. با دوپینگ ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی فوق‌العاده خالص با مقادیر کمی بور، می‌توان رسانایی را افزایش داد تا یک نیمه‌رسانای سیلیکونی نوع P تشکیل شود. به طور مشابه، دوپینگ با مقادیر کمی فسفر یا آرسنیک نیز می تواند رسانایی را افزایش دهد و یک نیمه هادی سیلیکونی نوع N را تشکیل دهد. بنابراین، تفاوت بین ویفرهای سیلیکونی نوع P و نوع N چیست؟

تفاوت اصلی بین ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی نوع P و نوع N به شرح زیر است:

دوپانت: در سیلیکون تک کریستالی، دوپینگ با فسفر آن را از نوع N و دوپینگ با بور آن را از نوع P می کند.

رسانایی: نوع N رسانای الکترون و نوع P رسانای سوراخ است.

عملکرد: هرچه فسفر بیشتری به نوع N دوپ شود، الکترون های آزاد بیشتری وجود داشته باشد، رسانایی قوی تر و مقاومت مقاومت کمتری خواهد داشت. هرچه بور بیشتری به نوع P دوپ شود، با جایگزینی سیلیکون، سوراخ‌های بیشتری ایجاد می‌شود، رسانایی قوی‌تر و مقاومت پایین‌تر است.

در حال حاضر، ویفرهای سیلیکونی نوع P، محصولات اصلی در صنعت فتوولتائیک هستند. ساخت ویفرهای سیلیکونی نوع P ساده بوده و هزینه کمی دارند. ویفرهای سیلیکونی نوع N معمولاً طول عمر حامل های اقلیت بیشتری دارند و راندمان سلول های خورشیدی را می توان بالاتر برد، اما این فرآیند پیچیده تر است. ویفرهای سیلیکونی نوع N با فسفر دوپ شده اند که حلالیت ضعیفی با سیلیکون دارد. در طول کشیدن میله، فسفر به طور یکنواخت توزیع نمی شود. ویفرهای سیلیکونی نوع P با بور دوپ شده اند که دارای ضریب تفکیک مشابه با سیلیکون است و یکنواختی پراکندگی به راحتی قابل کنترل است.